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探底中微優勢:技術壁壘深厚,有望受益Mini LED
文章來源自:廣證恒生
2019-08-20 17:56:40 閱讀:4415
摘要Mini LED 與 Micro LED 市場潛力巨大,MOCVD 設備需求有望增加。

  半導體設備國產替代浪潮興起,刻蝕設備迎來發展機遇。全球半導體行情下半年不確定性較大,但國內政策支持力度大,我國半導體市場規模持續上升且國產替代進程加快。當前國內廠商部分產品技術已達到國際先進水平,廣證恒生預測,未來三年半導體設備國產替代空間分別為119、141以及245美元。刻蝕是半導體制造三大核心工藝之一,晶圓制造工藝正向7nm→3nm發展,設備加工步驟增多,刻蝕設備在晶圓制造產線中價值上升。中微半導體刻蝕設備技術節點已達到5nm,其介質刻蝕設備全球市占率2.5%,預計2021年公司刻蝕設備市場規模將達到14億美元。

  Mini LED與Micro LED市場潛力巨大,MOCVD設備需求有望增加。當前全球LED行業產能過剩,2019年LED芯片價格預計下降約16%。2019年是Mini LED發展元年,Mini LED在節能、亮度以及效率方面相比傳統LED優勢顯著,各大廠商積極布局Mini LED應用。此外隨著點間距縮小,Mini LED、Micro LED對燈珠需求成倍增加,這將催生對MOCVD設備的需求。中微半導體MOVCD設備國內領先,有望受益于Mini LED,Micro LED發展。

  中微半導體盈利能力強,募投項目將進一步增強競爭力。公司凈利率水平持續上升,2018年同比提升2pct。現階段MOCVD設備策略性降價完成后,毛利率水平也有望回升。募集資金中,4億用于高端半導體擴展升級,改良原有刻蝕及MOCVD設備,4億用于技術研發中心建設升級。這將有利公司拓展產品矩陣,沖擊國際先進技術水平,提升產品市場份額。


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